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  • 名称

    三极管

    类型二/三极管
    型号三极管购买
    简介

    三极管的基本结构是两个反向连结的pn接面。一种控制元件,主要用来控制电流的大小。分类: 材质:硅管、锗管 结构:NPN、PNP 功能:开关管、功率管、达林顿管、光敏管等

  • 名称

    稳压二极管

    类型二/三极管
    型号1N4XXXX购买
    简介

    一种用于稳定电压的单PN结二极管。它的伏安特性、电路符号如图所示。结构同整流二极管。加在稳压二极管的反向电压增加到一定数值时,将可能有大量载流子隧穿PN结的位垒,形成大的反向电流,此时电压基本不变,称为隧道击穿。当反向电压比较高时,在位垒区内将可能产生大量载流子,受强电场作用形成大的反向电流,而电压亦基本不变,为雪崩击穿。因此,反向电压临近击穿电压时,反向电流迅速增加,而反向电压几乎不变。这个近似不变的电压称为齐纳电压(隧道击穿)或雪崩电压(雪崩击穿)。HTC 1/2W 系 列 型 号 规 格MOT 1W系列型号参数型号参数型号参数型号参数1N4728A3.3V1N4738A8.2V1N474

  • 名称

    整流二极管

    类型二/三极管
    型号1NXXXX购买
    简介

    一种将交流电能转变为直流电能的半导体器件。通常它包含一个PN结,有阳极和阴极两个端子。其结构如图1所示。P区的载流子是空穴,N区的载流子是电子,在P区和N区间形成一定的位垒。外加使P区相对N区为正的电压时,位垒降低,位垒两侧附近产生储存载流子,能通过大电流,具有低的电压降(典型值为0.7V),称为正向导通状态。若加相反的电压,使位垒增加,可承受高的反向电压,流过很小的反向电流(称反向漏电流),称为反向阻断状态。整流二极管具有明显的单向导电性,其伏安特性和电路符号如图2所示。整流二极管可用半导体锗或硅等材料制造。硅整流二极管的击穿电压高,反向漏电流小,高温性能良好。通常高压大功率整流二极管都用高

  • 名称

    肖特基二极管

    类型二/三极管
    型号XXX购买
    简介

    SBD是肖特基势垒二极管(SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD)的简称。 SBD具有开关频率高和正向压降低等优点,但其反向击穿电压比较低,大多不高于60V,最高仅约100V,以致于限制了其应用范围。像在开关电源(SMPS)和功率因数校正(PFC)电路中功率开关器件的续流二极管、变压器次级用100V以上的高频整流二极管、RCD缓冲器电路中用600V~1.2kV的高速二极管以及PFC升压用600V二极管等,只有使用快速恢复外延二极管(FRED)和超快速恢复二极管(UFRD)。目前UFRD的反向恢复时间Trr也在20ns以上,根本不能满足像空间站等领域用1MHz~3MHz的SMPS

  • 名称

    快恢复二极管

    类型二/三极管
    型号FR购买
    简介

    快恢复二极管(简称FRD)是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导体二极管,主要应用于开关电源、PWM脉宽调制器、变频器等电子电路中,作为高频整流二极管、续流二极管或阻尼二极管使用。   快恢复二极管的内部结构与普通PN结二极管不同,它属于PIN结型二极管,即在P型硅材料与N型硅材料中间增加了基区I,构成PIN硅片。因基区很薄,反向恢复电荷很小,所以快恢复二极管的反向恢复时间较短,正向压降较低,反向击穿电压(耐压值)较高。型号参数封装型号参数封装 FR1011A/50V DO-41 FR6016A/50V R-6 FR1021A/100V DO-41 FR6026A/100V R-6 F

  • 名称

    开关二极管

    类型二/三极管
    型号1N4XXX购买
    简介

    开关二极管的开关作用是利用二极管的单向导电特性来完成的,在给二极管加正向偏压时,处于导通状态,在加反向偏压时处于截止状态,在电路中起到接通电流、关断电流的作用。即开关作用。  为能使二极管的开关特性更好,可通过制作工艺,使其正向电阻特小,反向电阻特大,以提高其开关速度。 开关二极管有一个很重要的参数反向恢复时间。它是指开关二极管从导通到截止所需要的时间。此时间越短越好。另外,开关二极管从截止到导通所需的时间称为开通时间。开通时间与反向恢复时间的和称为开关时间,由于反向恢复时间远大于开通时间,所以一般的参数手册中只给出反向恢复时间。  由于开关二极管具有开关速度快、寿命长、无触点、体积小、可靠性

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